p-typ
V pure (vnitřní) Si nebo Ge semiconductor, každé jádro používá své čtyři valenční elektrony tvoří čtyři kovalentní vazby s jeho sousedy (viz obrázek níže). Každé iontové jádro, skládající se z jádra a valentních elektronů, má čistý náboj +4 a je obklopeno 4 valenčními elektrony. Vzhledem k tomu, že v tomto případě nejsou žádné přebytečné elektrony nebo otvory, počet elektronů a otvorů přítomných v daném okamžiku bude vždy stejný.,
vnitřní polovodič. Všimněte si, že každý iont + 4 je obklopen čtyřmi elektrony.
Nyní, pokud je jeden z atomů v polovodičové mřížce nahrazen prvkem se třemi valenčními elektrony, jako je prvek skupiny 3, jako je Bor (B) nebo Gallium (Ga), změní se rovnováha elektronových děr. Tato nečistota bude schopna přispět k mřížce pouze třemi valenčními elektrony ,a proto ponechá jednu přebytečnou díru (viz obrázek níže). Vzhledem k tomu, že otvory „přijmou“ volné elektrony, nečistota skupiny 3 se také nazývá akceptor.,
polovodič dopovaný akceptorem. Nyní je přítomna přebytečná díra.
Protože akceptor, daruje přebytek děr, které jsou považovány za pozitivně nabité, polovodič, který byl dotován s akceptor, se nazývá p-typ polovodiče; „p“ znamená pozitivní. Všimněte si, že materiál jako celek zůstává elektricky neutrální. V polovodiči typu p je proud do značné míry nesen otvory, které převyšují volné elektrony. V tomto případě jsou otvory většinovými nosiči, zatímco elektrony jsou menšinovými nosiči.